IXFC16N50P
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IXYS Semiconductor
分立器件
额定电压DC 500 V
额定电流 16.0 A
漏源极电阻 450 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
输入电容 2.25 nF
栅电荷 43.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 11 mm
宽度 5 mm
高度 16 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFC16N50P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3Pin3+Tab ISOPLUS 220 | 搜索库存 |