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IXFC16N50P

IXFC16N50P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3Pin3+Tab ISOPLUS 220

N-Channel 500V 10A Tc 125W Tc Through Hole ISOPLUS220™


得捷:
MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220


贸泽:
MOSFET 500V 16A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220


IXFC16N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 16.0 A

漏源极电阻 450 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

输入电容 2.25 nF

栅电荷 43.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 2250pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 11 mm

宽度 5 mm

高度 16 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFC16N50P引脚图与封装图
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