IXTT1N100

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-268 N-CH 1000V 1.5A

N-Channel 1000V 1.5A Tc 60W Tc Surface Mount TO-268

得捷:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO268

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.5A 3-Pin2+Tab TO-268

IXTT1N100中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 1.5A

输入电容Ciss 480pF @25VVds

额定功率Max 60 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTT1N100引脚图与封装图

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替代型号IXTT1N100

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