IXCY01N90E
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXCY01N90E中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 40W Tc
漏源极电压Vds 900 V
输入电容Ciss 133pF @25VVds
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXCY01N90E引脚图与封装图
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| IXCY01N90E | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 0.25A 3Pin2+Tab DPAK | 搜索库存 |