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IGW40N65H5AXKSA1

IGW40N65H5AXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT Trench 650V 74A 250W Through Hole PG-TO247-3


得捷:
IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 3-Pin TO-247 Tube


IGW40N65H5AXKSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IGW40N65H5AXKSA1引脚图与封装图
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