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IRF7739L2TR1PBF

IRF7739L2TR1PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低,尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型,仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon

**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。

在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻

封装电阻极低,尽量减少传导损耗

高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性

薄型,仅 0.7mm


欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7739L2TR1PBF, 270 A, Vds=40 V, 11引脚 DirectFET L8封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R


TME:
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 40V; 46A; 125W; DirectFET


IRF7739L2TR1PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 125 W

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

产品系列 IRF7739

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 46.0 A

输入电容Ciss 11880pF @25VVds

额定功率Max 3.8 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 DirectFET™ Isometric L8

外形尺寸

长度 9.15 mm

宽度 7.1 mm

高度 0.676 mm

封装 DirectFET™ Isometric L8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRF7739L2TR1PBF引脚图与封装图
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IRF7739L2TR1PBF International Rectifier 国际整流器 DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon **DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。 在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低,尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型,仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 搜索库存