极性 N-Channel
耗散功率 370 W
产品系列 IRFB3077G
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 210 A
输入电容Ciss 9400pF @50VVds
额定功率Max 370 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
封装 TO-220
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFB3077GPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 75V 210A 3Pin3+Tab TO-220AB | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFB3077GPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-220AB N-Channel 75V 210A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 75V 210A 3Pin3+Tab TO-220AB | 当前型号 | |
型号: STP75NF75 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 75V 80A 9.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRFB3077GPBF和STP75NF75的区别 | |
型号: STP140NF75 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 75V 120A 7.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V | IRFB3077GPBF和STP140NF75的区别 | |
型号: STP160N75F3 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP160N75F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V | IRFB3077GPBF和STP160N75F3的区别 |