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IRFS4310PBF

IRFS4310PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 5.6 Milliohms; ID 130A; D2Pak; PD 300W; VF 1.3V

**N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon**

The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


得捷:
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 5.6 Milliohms; ID 130A; D2Pak; PD 300W; VF 1.3V


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


DeviceMart:
HEXFET Power MOSFET, N채널, Vd = 100, Rds = 5.6mΩ, Id = 140A, D2Pak패키지


IRFS4310PBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 7 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

产品系列 IRFS4310

输入电容 7670pF @50V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 140 A

输入电容Ciss 7670pF @50VVds

额定功率Max 300 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRFS4310PBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFS4310PBF International Rectifier 国际整流器 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 5.6 Milliohms; ID 130A; D2Pak; PD 300W; VF 1.3V 搜索库存
替代型号IRFS4310PBF
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型号: IRFS4310PBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252-3 N-Channel 100V 140A

当前型号

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 5.6 Milliohms; ID 130A; D2Pak; PD 300W; VF 1.3V

当前型号

型号: STB120NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 100V 110A 10.5mΩ

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STMICROELECTRONICS  STB120NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V

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