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IPP023NE7N3GXKSA1

IPP023NE7N3GXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N-沟道 75 V 120 A 2.3 mΩ 155 nC OptiMOS 3 功率 晶体管 - TO-220

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023NE7N3GXKSA1, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 75 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.1 V


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 / N-Channel 75 V 120A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO220-3-1


IPP023NE7N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3.1 V

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 10800pF @37.5VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, , 通信与网络, 电源管理, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Audio, 电机驱动与控制, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Motor Drive & Control, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Communications & Networking, 音频, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPP023NE7N3GXKSA1引脚图与封装图
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