IHY20N135R3XKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IHY20N135R3XKSA1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1350 V
额定功率Max 310 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IHY20N135R3XKSA1引脚图与封装图
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在线购买IHY20N135R3XKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IHY20N135R3XKSA1 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 1.35kV 40A 3Pin3+Tab TO-247HC | 搜索库存 |
替代型号IHY20N135R3XKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IHY20N135R3XKSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1.35kV 40A 3Pin3+Tab TO-247HC | 当前型号 |
| 型号： IHW20N135R3FKSA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-247-3 310000mW | 完全替代 | 单晶体管, IGBT, 40 A, 1.6 V, 310 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚 | IHY20N135R3XKSA1和IHW20N135R3FKSA1的区别 |
