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IRF2907ZS-7PPBF

IRF2907ZS-7PPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 3 Milliohms; ID 160A; D2Pak; PD 300W; VGS +/-20V

**N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon**

The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 180A 7-Pin6+Tab D2PAK Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 3 Milliohms; ID 160A; D2Pak; PD 300W; VGS +/-20V


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 180A 7-Pin6+Tab D2PAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7


IRF2907ZS-7PPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 160 A

漏源极电阻 3.8 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

产品系列 IRF2907ZS-7P

阈值电压 4 V

输入电容 7580pF @25V

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

连续漏极电流Ids 160 A

上升时间 90.0 ns

输入电容Ciss 7580pF @25VVds

额定功率Max 300 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10.35 mm

高度 4.55 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRF2907ZS-7PPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF2907ZS-7PPBF International Rectifier 国际整流器 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 3 Milliohms; ID 160A; D2Pak; PD 300W; VGS +/-20V 搜索库存