IXTA200N085T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA200N085T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5 mΩ
耗散功率 480 W
漏源极电压Vds 85 V
漏源击穿电压 85 V
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 7600pF @25VVds
下降时间 64 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 9.9 mm
宽度 9.2 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA200N085T引脚图与封装图
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在线购买IXTA200N085T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA200N085T | IXYS Semiconductor | MOSFET N-CH 85V 200A TO-263 | 搜索库存 |
替代型号IXTA200N085T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA200N085T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： D2PAK-2 | 当前型号 | MOSFET N-CH 85V 200A TO-263 | 当前型号 |
| 型号： IXTA180N085T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： D2PAK N-CH 85V 180A | 类似代替 | D2PAK N-CH 85V 180A | IXTA200N085T和IXTA180N085T的区别 |