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IKW50N65WR5XKSA1

IKW50N65WR5XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

Summary of Features:

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       Optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding
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       Very low V cesat of 1.35V @25°C
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       Low E tot
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       Soft recovery and low Q rr for diode
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       Good R goff controllability

Benefits:

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       Best price/performance ratio
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       Good fit to mainstream design of fsw>20kHz
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       Low T j & T c for lower heatsink and cooling cost

Target Applications:

**AC-DC PFC** stage in:

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Welding
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UPS
.
Solar
IKW50N65WR5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 282000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 110 ns

额定功率Max 282 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 282000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IKW50N65WR5XKSA1引脚图与封装图
IKW50N65WR5XKSA1引脚图

IKW50N65WR5XKSA1引脚图

IKW50N65WR5XKSA1封装图

IKW50N65WR5XKSA1封装图

IKW50N65WR5XKSA1封装焊盘图

IKW50N65WR5XKSA1封装焊盘图

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IKW50N65WR5XKSA1 Infineon 英飞凌 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube 搜索库存