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IPW65R190C7XKSA1

IPW65R190C7XKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPW65R190C7XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R190C7XKSA1, 13 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装


得捷:
MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3


立创商城:
N沟道 650V 13A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 13A 3-Pin TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# INFINEON  IPW65R190C7XKSA1  MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3 / N-Channel 650 V 13A Tc 72W Tc Through Hole PG-TO247-3


IPW65R190C7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 72 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.404 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 72 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1150pF @400VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 72W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 21.1 mm

高度 5.21 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Alternative Energy, Industrial, Industrial, Power Management, Alternative Energy, Communications & Networking, 电源管理, Power Management, 通信与网络, 替代能源, Communic

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPW65R190C7XKSA1引脚图与封装图
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