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IRFP2907PBF

IRFP2907PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道,75V,209A,4.5mΩ@10V

**N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon**

The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 209A 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 209A 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


IRFP2907PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 209 A

漏源极电阻 4.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 470 W

产品系列 IRFP2907

阈值电压 4 V

输入电容 13000pF @25V

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

连续漏极电流Ids 209 A

上升时间 190 ns

输入电容Ciss 13000pF @25VVds

额定功率Max 470 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

高度 20.7 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRFP2907PBF引脚图与封装图
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