IPB020NE7N3GATMA1

INFINEON  IPB020NE7N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.1 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS

优化技术，用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道，逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀

欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB020NE7N3GATMA1, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

立创商城:
N沟道 75V 120A

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.1 V

艾睿:
This IPB020NE7N3GATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes optimos technology.

安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin2+Tab TO-263

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO263-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Newark:
# INFINEON  IPB020NE7N3GATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.1 V