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IPL65R165CFDAUMA1

IPL65R165CFDAUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N-CH 650V 16.6A

表面贴装型 N 通道 650 V 21.3A(Tc) 195W(Tc) PG-VSON-4


得捷:
MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON


贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 16.6A


富昌:
700V, 67A, 165MOHM, THINPAK 8X8


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 21.3A Automotive 4-Pin VSON EP T/R


IPL65R165CFDAUMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 195 W

通道数 1

漏源极电阻 149 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 195 W

阈值电压 3.5 V

输入电容 2340 pF

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 16.6A

上升时间 7.6 ns

输入电容Ciss 2340pF @100VVds

下降时间 5.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 195W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 PG-VSON-4

外形尺寸

长度 8.1 mm

宽度 8 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-VSON-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPL65R165CFDAUMA1引脚图与封装图
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IPL65R165CFDAUMA1 Infineon 英飞凌 N-CH 650V 16.6A 搜索库存