![IRFR024N](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_174/chanpintu/irfr024n-4rNjELWI-yoDa8vdj0.png)
额定电压DC 55.0 V
额定电流 17.0 A
漏源极电阻 75.0 mΩ max
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
产品系列 IRFR024N
漏源极电压Vds 55.0 V
漏源击穿电压 55.0V min
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 34.0 ns
安装方式 Surface Mount
封装 DPAK-252
封装 DPAK-252
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFR024N | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3Pin2+Tab DPAK | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFR024N 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252 N-Channel 55V 17A 75mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3Pin2+Tab DPAK | 当前型号 | |
型号: STD12NF06LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 60V 12A 100mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V | IRFR024N和STD12NF06LT4的区别 | |
型号: STD15NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V | IRFR024N和STD15NF10T4的区别 | |
型号: STD12NF06T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 60V 12A 100mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD12NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V | IRFR024N和STD12NF06T4的区别 |