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IRFR024N
International Rectifier 国际整流器 晶体管
IRFR024N中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 17.0 A

漏源极电阻 75.0 mΩ max

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

产品系列 IRFR024N

漏源极电压Vds 55.0 V

漏源击穿电压 55.0V min

连续漏极电流Ids 17.0 A

上升时间 34.0 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DPAK-252

外形尺寸

封装 DPAK-252

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRFR024N引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFR024N International Rectifier 国际整流器 Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3Pin2+Tab DPAK 搜索库存
替代型号IRFR024N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFR024N

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252 N-Channel 55V 17A 75mohms

当前型号

Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3Pin2+Tab DPAK

当前型号

型号: STD12NF06LT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 60V 12A 100mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD12NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V

IRFR024N和STD12NF06LT4的区别

型号: STD15NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

IRFR024N和STD15NF10T4的区别

型号: STD12NF06T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 60V 12A 100mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD12NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V

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