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IPI111N15N3GAKSA1

IPI111N15N3GAKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上


得捷:
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI111N15N3GAKSA1, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO262-3


IPI111N15N3GAKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 214 W

极性 N-CH

耗散功率 214W Tc

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 83A

输入电容Ciss 3230pF @75VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 214W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.52 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPI111N15N3GAKSA1引脚图与封装图
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