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IPW65R190CFDFKSA1

IPW65R190CFDFKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPW65R190CFDFKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.445 ohm, 10 V, 4 V

CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R190CFDFKSA1, 17.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装


得捷:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3


贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 700 V, 17.5 A, 0.445 ohm, TO-247, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 17.5 A, 700 V, 0.445 ohm, 10 V, 4 V


IPW65R190CFDFKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 151 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.445 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 34 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 700 V

连续漏极电流Ids 17.5A

上升时间 8.4 ns

输入电容Ciss 1850pF @100VVds

下降时间 6.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 151 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, Industrial, Power Management, Communications & Networking, Alternative Energ, 车用, 通信与网络, LED Lighting, 替代能源, 电源管理, 发光二极管照明

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPW65R190CFDFKSA1引脚图与封装图
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