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IPW60R280E6FKSA1

IPW60R280E6FKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R280E6FKSA1, 13.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。


得捷:
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3


欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R280E6FKSA1, 13.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


IPW60R280E6FKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 104 W

极性 N-CH

耗散功率 104 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 13.8A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 950pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPW60R280E6FKSA1引脚图与封装图
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IPW60R280E6FKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R280E6FKSA1, 13.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装 搜索库存