
极性 N-Channel
耗散功率 330 W
产品系列 IRL3713S
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 200 A
输入电容Ciss 5890pF @15VVds
额定功率Max 330 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRL3713STRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRL3713STRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-263-3 N-Channel 200A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 | |
型号: STB200NF04T4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 40V 120A 3.7mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRL3713STRLPBF和STB200NF04T4的区别 | |
型号: STB95N3LLH6 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 30V 80A | 功能相似 | N 通道 MOSFET,已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。 | IRL3713STRLPBF和STB95N3LLH6的区别 |