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IRF6728MTR1PBF

IRF6728MTR1PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低,尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型,仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon

**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。

在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻

封装电阻极低,尽量减少传导损耗

高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性

薄型,仅 0.7mm


欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6728MTR1PBF, 140 A, Vds=30 V, 5引脚 DirectFET MX封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R


IRF6728MTR1PBF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-Channel

产品系列 IRF6728M

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 4110pF @15VVds

额定功率Max 2.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 DirectFET-4

外形尺寸

长度 5.45 mm

宽度 5.05 mm

高度 0.53 mm

封装 DirectFET-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF6728MTR1PBF引脚图与封装图
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IRF6728MTR1PBF International Rectifier 国际整流器 DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon **DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。 在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低,尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型,仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 搜索库存