IRF6728MTR1PBF
数据手册.pdf
International Rectifier
国际整流器
分立器件
通道数 1
极性 N-Channel
产品系列 IRF6728M
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 4110pF @15VVds
额定功率Max 2.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 75 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DirectFET-4
长度 5.45 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.53 mm
封装 DirectFET-4
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF6728MTR1PBF | International Rectifier 国际整流器 | DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon **DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。 在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低,尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型,仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | 搜索库存 |