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IPB60R190C6ATMA1

IPB60R190C6ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R190C6ATMA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R190C6ATMA1, 20.2 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin2+Tab TO-263


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB60R190C6ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 151 W

极性 N-CH

耗散功率 151 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20.2A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1400pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 151000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

IPB60R190C6ATMA1引脚图与封装图
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IPB60R190C6ATMA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R190C6ATMA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 搜索库存