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IRF8010SPBF

IRF8010SPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 12Milliohms; ID 80A; D2Pak; PD 260W; VGS +/-20

**N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK


IRF8010SPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 80.0 A

漏源极电阻 15 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 260 W

产品系列 IRF8010S

阈值电压 4 V

输入电容 3830pF @25V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 130 ns

输入电容Ciss 3830pF @25VVds

额定功率Max 260 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRF8010SPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF8010SPBF International Rectifier 国际整流器 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 12Milliohms; ID 80A; D2Pak; PD 260W; VGS +/-20 搜索库存
替代型号IRF8010SPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF8010SPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-263-3 N-Channel 100V 80A

当前型号

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 12Milliohms; ID 80A; D2Pak; PD 260W; VGS +/-20

当前型号

型号: STB80NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 100V 80A 15mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB80NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V

IRF8010SPBF和STB80NF10T4的区别

型号: STB40NF10LT4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 100V 40A 30mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V

IRF8010SPBF和STB40NF10LT4的区别

型号: STB40NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 100V 50A 24mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB40NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 V

IRF8010SPBF和STB40NF10T4的区别