额定电压DC 100 V
额定电流 73.0 A
漏源极电阻 11.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
产品系列 IRFB4610
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100V min
连续漏极电流Ids 73.0 A
上升时间 87.0 ns
输入电容Ciss 3550pF @50VVds
额定功率Max 190 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFB4610PBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道,100V,73A,14mΩ@10V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFB4610PBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-220-3 N-Channel 100V 73A 11mohms | 当前型号 | N沟道,100V,73A,14mΩ@10V | 当前型号 | |
型号: STP80NF10 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRFB4610PBF和STP80NF10的区别 | |
型号: STP120NF10 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 110A 10.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V | IRFB4610PBF和STP120NF10的区别 | |
型号: IRFZ14PBF 品牌: 威世 封装: TO-220AB N-Channel 60V 10A 200mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IRFB4610PBF和IRFZ14PBF的区别 |