IKA03N120H2XKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 8.2A 29000mW 3Pin3+Tab TO-220FP

IGBT 1200V 8.2A 29W Through Hole PG-TO220-3

得捷:
IGBT 1200V 8.2A 29W TO220-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 8.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 8.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP

IKA03N120H2XKSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 29000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 52 ns

额定功率Max 29 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 29000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IKA03N120H2XKSA1引脚图与封装图

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