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IGA30N60H3XKSA1

IGA30N60H3XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

IGBT 沟槽型场截止 通孔 PG-TO220-3-31 整包


得捷:
IGBT 600V 18A 43W TO220-3


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP


IGA30N60H3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 43 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 43000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IGA30N60H3XKSA1引脚图与封装图
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