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IGW20N60H3FKSA1

IGW20N60H3FKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon IGW20N60H3FKSA1 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C


得捷:
IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3


欧时:
Infineon IGW20N60H3FKSA1 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-247


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
IGBT 600V 40A 170W TO247-3


IGW20N60H3FKSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 170000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 170 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 170 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 All hard switching applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IGW20N60H3FKSA1引脚图与封装图
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在线购买IGW20N60H3FKSA1
型号 制造商 描述 购买
IGW20N60H3FKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon IGW20N60H3FKSA1 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装 搜索库存
替代型号IGW20N60H3FKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IGW20N60H3FKSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： PG-TO247-3 170000mW

当前型号

Infineon IGW20N60H3FKSA1 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

当前型号

型号： IRG4PC50UDPBF

品牌： 英飞凌

封装： TO-247AC 200000mW

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INFINEON  IRG4PC50UDPBF  单晶体管, IGBT, 55 A, 2 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚

IGW20N60H3FKSA1和IRG4PC50UDPBF的区别

型号： IRG4PC50WPBF

品牌： 英飞凌

封装： TO-247AC 200000mW

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IGW20N60H3FKSA1和IRG4PC50WPBF的区别

型号： IRG4PC40UDPBF

品牌： 英飞凌

封装： TO-247AC 160000mW

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