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IPA60R280C6XKSA1

IPA60R280C6XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak Tube


IPA60R280C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 32 W

通道数 1

漏源极电阻 250 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 32 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 13.8A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 950pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 32000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPA60R280C6XKSA1引脚图与封装图
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IPA60R280C6XKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装 搜索库存