IPP60R190C6XKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R190C6XKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3

欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R190C6XKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 / N-Channel 600 V 20.2A Tc 151W Tc Through Hole PG-TO220-3

IPP60R190C6XKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 151 W

极性 N-Channel

耗散功率 151 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20.2A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1400pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 151 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 15.95 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPP60R190C6XKSA1引脚图与封装图

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