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IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB039N10N3GATMA1, 160 A, Vds=100 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装

OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上


得捷:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB039N10N3GATMA1, 160 A, Vds=100 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装


立创商城:
N沟道 100V 160A


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  IPB039N10N3GATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 160 A, 100 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.7 V


IPB039N10N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 214 W

通道数 1

针脚数 7

漏源极电阻 0.0033 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 214 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 160A

上升时间 59 ns

输入电容Ciss 6320pF @50VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 214 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-7

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, 工业, Industrial, Class D audi, 车用, 电机驱动与控制, 音频, Automotive, Audio, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, 电源管理, Motor Drive & Control, Uninterruptable power supplies UPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPB039N10N3GATMA1引脚图与封装图
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IPB039N10N3GATMA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB039N10N3GATMA1, 160 A, Vds=100 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装 搜索库存