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IRF3709ZSPBF

IRF3709ZSPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3Pin2+Tab D2PAK

**N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin2+Tab D2PAK


Allied Electronics:
MOSFET, N Ch., 30V, 87A, 6.3 MOHM, 17 NC QG, D2-PAK, Pb-Free


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin2+Tab D2PAK


IRF3709ZSPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 87.0 A

漏源极电阻 6.3 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 79 W

产品系列 IRF3709ZS

阈值电压 2.25 V

输入电容 2130pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 87.0 A

上升时间 41.0 ns

输入电容Ciss 2130pF @15VVds

额定功率Max 79 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRF3709ZSPBF引脚图与封装图
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IRF3709ZSPBF International Rectifier 国际整流器 Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3Pin2+Tab D2PAK 搜索库存
替代型号IRF3709ZSPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF3709ZSPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-263-3 N-Channel 30V 87A

当前型号

Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3Pin2+Tab D2PAK

当前型号

型号: STB80NF03L-04T4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 30V 80A 4mΩ

功能相似

N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

IRF3709ZSPBF和STB80NF03L-04T4的区别

型号: STB95N3LLH6

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 30V 80A

功能相似

N 通道 MOSFET,已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。

IRF3709ZSPBF和STB95N3LLH6的区别