IPL65R310E6AUMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

N-CH 650V 13.1A

表面贴装型 N 通道 650 V 13.1A（Tc） 104W（Tc） PG-VSON-4

得捷:
MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.1A T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4

Win Source:
MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK / N-Channel 650 V 13.1A Tc 104W Tc Surface Mount PG-VSON-4

IPL65R310E6AUMA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 104 W

极性 N-CH

耗散功率 104W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 13.1A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 950pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 Thin-Pak

外形尺寸

封装 Thin-Pak

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IPL65R310E6AUMA1引脚图与封装图

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