IRG4RC10SDTRPBF
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International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRG4RC10SDTRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 38 W
产品系列 IRG4RC10SD
上升时间 32.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
高度 1.24 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IRG4RC10SDTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRG4RC10SDTRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4RC10SDTRPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IRG4RC10SDTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4RC10SDTRPBF 品牌： International Rectifier 国际整流器 封装： DPAK 38W | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： STGD6NC60HDT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252-3 600V 15A 56000mW | 功能相似 | STGD6NC60HD 系列 N沟道 600 V 7 A 极快 PowerMESH IGBT - TO-252-3 | IRG4RC10SDTRPBF和STGD6NC60HDT4的区别 |
| 型号： STGDL6NC60DIT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252-3 50000mW | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 50000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | IRG4RC10SDTRPBF和STGDL6NC60DIT4的区别 |