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IPP100N08S207AKSA1

IPP100N08S207AKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08S207AKSA1, 100 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装(无铅)

超低 Rdson


立创商城:
IPP100N08S207AKSA1


得捷:
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3


欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08S207AKSA1, 100 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin3+Tab TO-220AB


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 94A; 300W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 / N-Channel 75 V 100A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO220-3-1


IPP100N08S207AKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 51 ns

输入电容Ciss 4700pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Solenoids control, Valves control, Lighting, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPP100N08S207AKSA1引脚图与封装图
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IPP100N08S207AKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08S207AKSA1, 100 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装 搜索库存