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IKP20N65F5XKSA1

IKP20N65F5XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3Pin3+Tab TO-220 Tube

IGBT Trench 650V 42A 125W Through Hole PG-TO220-3


得捷:
IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3


贸泽:
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 3-Pin TO-220 Tube


Chip1Stop:
650V DuoPack High Speed Switching IGBT And Diode


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


IKP20N65F5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 125000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 53 ns

额定功率Max 125 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IKP20N65F5XKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IKP20N65F5XKSA1 Infineon 英飞凌 Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3Pin3+Tab TO-220 Tube 搜索库存