IRF1404LPBF

International Rectifier 国际整流器分立器件

Single N-Channel 40V 200W 160NC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262

Description

Seventh Generation HEXFETÆPower MOSFETs from utilize advanced processing

techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Lead-Free

IRF1404LPBF中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 162 A

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

产品系列 IRF1404L

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 162 A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 7360pF @25VVds

额定功率Max 3.8 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF1404LPBF引脚图与封装图

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