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IGP30N65H5XKSA1

IGP30N65H5XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

单晶体管, IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 引脚

IGBT 沟道 650 V 55 A 188 W 通孔 PG-TO220-3


得捷:
IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3


贸泽:
IGBT 晶体管 Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market s high e


e络盟:
单晶体管, IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 3-Pin TO-220 Tube


Chip1Stop:
650V IGBT High Speed Switching Series


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


IGP30N65H5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 188 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 188 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 188000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IGP30N65H5XKSA1引脚图与封装图
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在线购买IGP30N65H5XKSA1
型号 制造商 描述 购买
IGP30N65H5XKSA1 Infineon 英飞凌 单晶体管, IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 引脚 搜索库存