锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPP076N12N3GXKSA1

IPP076N12N3GXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 120 V, 0.0065 ohm, 10 V, 3 V

Summary of Features:

.
Excellent switching performance
.
World’s lowest R DSon
.
Very low Q g and Q gd
.
Excellent gate charge x R DSon product FOM
.
RoHS compliant-halogen free
.
MSL1 rated 2

Benefits:

.
Environmentally friendly
.
Increased efficiency
.
Highest power density
.
Less paralleling required
.
Smallest board-space consumption
.
Easy-to-design products
IPP076N12N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 188 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0065 Ω

极性 N-CH

耗散功率 188 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 120 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 4990pF @60VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 188000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP076N12N3GXKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPP076N12N3GXKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPP076N12N3GXKSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 120 V, 0.0065 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存