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IPP65R310CFDXKSA1

IPP65R310CFDXKSA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R310CFDXKSA1, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


IPP65R310CFDXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 104.2 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 280 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 104.2 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 11.4A

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 1100pF @100VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104.2 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP65R310CFDXKSA1引脚图与封装图
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IPP65R310CFDXKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存