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IPB60R385CPATMA1

IPB60R385CPATMA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPB60R385CPATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™CP 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3


欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R385CPATMA1, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  IPB60R385CPATMA1  Power MOSFET, N Channel, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V


IPB60R385CPATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 83 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 790pF @100VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPB60R385CPATMA1引脚图与封装图
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