IKU15N60RBKMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW 3Pin3+Tab TO-251

IGBT 沟道 600 V 30 A 250 W 通孔 PG-TO251-3

得捷:
IGBT 600V 30A 250W TO251-3

艾睿:
IGBT MODULE

Chip1Stop:
Trans IGBT Module N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-251

Win Source:
IGBT 600V 30A 250W TO251-3

IKU15N60RBKMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 110 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IKU15N60RBKMA1引脚图与封装图

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