IPP65R660CFDAAKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 62.5W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 543pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 62.5 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Unidirectional and bidirectional DC-DC converter, HID lighting, Battery charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPP65R660CFDAAKSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |