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ICTE12C-E3/54
ICTE12C-E3/54中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 14.1 V

耗散功率 1.5 kW

钳位电压 17.1 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 14.1 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 175℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AA

外形尺寸

长度 9.5 mm

高度 5.3 mm

封装 DO-201AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ICTE12C-E3/54引脚图与封装图
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在线购买ICTE12C-E3/54
型号 制造商 描述 购买
ICTE12C-E3/54 Vishay Semiconductor 威世 TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装 1500W,ICTE 系列,Vishay Semiconductor ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号ICTE12C-E3/54
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ICTE12C-E3/54

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-201AA

当前型号

TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装 1500W,ICTE 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

当前型号

型号: 1N6384-E3/54

品牌: 威世

封装: DO-201AA

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 12V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R

ICTE12C-E3/54和1N6384-E3/54的区别

型号: ICTE12C-E3/51

品牌: 威世

封装: DO-201AA

完全替代

ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 12V Bidirect

ICTE12C-E3/54和ICTE12C-E3/51的区别

型号: ICTE12C-E3/73

品牌: 威世

封装: DO-201AA

完全替代

ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 12V Bidirect

ICTE12C-E3/54和ICTE12C-E3/73的区别