额定电压DC 55.0 V
额定电流 110 A
漏源极电阻 6.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 170 W
产品系列 IRF3205Z
输入电容 3450pF @25V
栅电荷 110 nC
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 95.0 ns
输入电容Ciss 3450pF @25VVds
额定功率Max 170 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF3205ZPBF | International Rectifier 国际整流器 | 55V,75A,6.5mΩ,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF3205ZPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-220-3 N-Channel 55V 75A 4.9mohms 3.45nF | 当前型号 | 55V,75A,6.5mΩ,N沟道功率MOSFET | 当前型号 | |
型号: STP80NF55-06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V | IRF3205ZPBF和STP80NF55-06的区别 | |
型号: STP80NF55L-06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP80NF55L-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V | IRF3205ZPBF和STP80NF55L-06的区别 | |
型号: STP80NF55-08 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 8mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V | IRF3205ZPBF和STP80NF55-08的区别 |