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IRF3205ZPBF

IRF3205ZPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

55V,75A,6.5mΩ,N沟道功率MOSFET

Power MOSFET, Pulsed Drain Current 440 A, Input Capacitance 3450 pF

* Advanced process technology

* Ultra low on-resistance

* 150 °C operating temperature

* Fast switching

* Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

* Lead-free

Specifically designed for automotive applications, this HEXFET® power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 °C junction operating temperature

IRF3205ZPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 110 A

漏源极电阻 6.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 170 W

产品系列 IRF3205Z

输入电容 3450pF @25V

栅电荷 110 nC

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

上升时间 95.0 ns

输入电容Ciss 3450pF @25VVds

额定功率Max 170 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 9.02 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF3205ZPBF引脚图与封装图
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IRF3205ZPBF International Rectifier 国际整流器 55V,75A,6.5mΩ,N沟道功率MOSFET 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF3205ZPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-220-3 N-Channel 55V 75A 4.9mohms 3.45nF

当前型号

55V,75A,6.5mΩ,N沟道功率MOSFET

当前型号

型号: STP80NF55-06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ

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型号: STP80NF55L-06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ

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型号: STP80NF55-08

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 8mΩ

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