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IDH03SG60CXKSA1

IDH03SG60CXKSA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IDH03SG60CXKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基,

Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。碳化硅设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势,如提高击穿电场强度和增强导热性,从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。

降低的 EMI

IDH03SG60CXKSA1中文资料参数规格
技术参数

正向电压 2.3V @3A

耗散功率 38 W

反向恢复时间 0 ns

正向电流 3 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 11.5 A

正向电压Max 2.3 V

正向电流Max 3 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IDH03SG60CXKSA1引脚图与封装图
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