IDD03SG60CXTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IDD03SG60CXTMA1中文资料参数规格
技术参数
正向电压 2.3 V
耗散功率 38 W
正向电流 3 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 11.5 A
正向电压Max 2.3 V
正向电流Max 3 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 38000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 计算机和计算机周边, 替代能源, 通信与网络, Computers & Computer Peripherals, 照明, Lighting, Communications & Networking, Alternative Energy
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IDD03SG60CXTMA1引脚图与封装图
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在线购买IDD03SG60CXTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IDD03SG60CXTMA1 | Infineon 英飞凌 | INFINEON IDD03SG60CXTMA1 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 | 搜索库存 |
替代型号IDD03SG60CXTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IDD03SG60CXTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 | 当前型号 | INFINEON IDD03SG60CXTMA1 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 | 当前型号 |
| 型号： IDD03SG60C 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 | 类似代替 | INFINEON IDD03SG60C 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 | IDD03SG60CXTMA1和IDD03SG60C的区别 |