锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPP65R380E6XKSA1

IPP65R380E6XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R380E6XKSA1, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。


得捷:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R380E6XKSA1, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
IPP65R380E6 系列 650V 0.38 Ohm N沟道 CoolMOSTM C7 功率 晶体管-PG-TO-220-3


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


IPP65R380E6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 83 W

极性 N-CH

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 700 V

连续漏极电流Ids 10.6A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 710pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 15.95 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP65R380E6XKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPP65R380E6XKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPP65R380E6XKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R380E6XKSA1, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装 搜索库存