ICTE10C-E3/51中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 11.7 V
耗散功率 1.5 kW
钳位电压 14.5 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 11.7 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-201AA
外形尺寸
长度 9.5 mm
高度 5.3 mm
封装 DO-201AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
包装方式 Bulk
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ICTE10C-E3/51引脚图与封装图
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在线购买ICTE10C-E3/51
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ICTE10C-E3/51 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Bi-Dir 10V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Bulk | 搜索库存 |
替代型号ICTE10C-E3/51
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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