
额定电压DC 30.0 V
额定电流 90.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
产品系列 IRF3709S
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 90.0 A
上升时间 171 ns
输入电容Ciss 2672pF @16VVds
额定功率Max 3.1 W
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRF3709SPBF | International Rectifier 国际整流器 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3709SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 90A, D2-PAK 新 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRF3709SPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-263 N-Channel 30V 90A | 当前型号 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3709SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 90A, D2-PAK 新 | 当前型号 | |
型号: IRF3709STRLPBF 品牌: 英飞凌 封装: TO-263 N-Channel 30V 90A | 功能相似 | INFINEON IRF3709STRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 90A, 30V, 3.1W | IRF3709SPBF和IRF3709STRLPBF的区别 | |
型号: STB80NF03L-04T4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 30V 80A 4mΩ | 功能相似 | N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET | IRF3709SPBF和STB80NF03L-04T4的区别 | |
型号: STB95N3LLH6 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 30V 80A | 功能相似 | N 通道 MOSFET,已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。 | IRF3709SPBF和STB95N3LLH6的区别 |